آشنایی با حافظه___ RAM

آشنایی با حافظهRAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  كامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا كرد .

 در مقابل حافظه هایRAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه هایSAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امكان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار كاست ) درصورتیكه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یك از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیكه پردازش داده ها الزاما بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی كارت های گرافیك ).اماداده های ذخیره شده در حافظهRAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه هایRAM

حافظه RAM ، یك تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده كه از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشكیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بكارگیری یك خازن و یك ترانزیستور می توان یك سلول  را ایجاد كرد. سلول فوق قادر به نگهداری یك بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را كه یك  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد كرد.

عملكرد ترانزیستور مشابه یك سوییچ بوده كه امكان كنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یك ظرف ( سطل)  بوده كه قادر به نگهداری الكترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یك"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الكترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد. مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یك ظرف مملو از الكترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینكه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " كنترل كننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مكلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یك" باشند. بدین منظور كنترل كننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید. عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یك ثانیه تكرار خواهد شد. علت نامگذاریDRAM بدین دلیل است كه این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تكراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود كه زمان تلف و سرعت حافظه كند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یك تراشه  سیلیكون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط كلمات) تشكیل می گردند. نقطه تلاقی یك سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه هایDRAM با ارسال یك شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد. در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد كه خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier (تقويت كننده ي حسي) ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیكه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یك" خوانده شده و در غیر اینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار كوتاه بوده و بر حسب نانو ثانیه (یك میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری میگردد.

 تراشه حافظه ای كه دارای سرعت 70 نانو ثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد كشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیكه از روش هایی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، به تنهایی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یك زیر ساخت كامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.

مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

�        مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

�        نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )

�        خواندن و برگرداندن سیگنال از یك سلول (Sense amplifier)

�        اعلام خبر به یك سلول كه می بایست شارژ گردد  یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد

 ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "كنترل كننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه هایSRAM دارای یك تكنولوژی كاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یك فلیپ فلاپ برای یك سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می كند . حافظه هایSRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها به مراتب از حافظه هایDRAM بیشتر است .با توجه به اینكه حافظه هایSRAM از بخش های متعددی  تشكیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یك تراشه به مراتب بیشتر از یك سلول حافظه از نوعDRAM خواهد بود. در چنین مواردی  میزان حافظه بر روی یك تراشه كاهش پیدا كرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه هایDRAM ارزان و كند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه هایSRAM  به منظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده ازCache) و  از حافظه هایDRAM برای فضای حافظهRAM در كامپیوتر استفاده می گردد.

ما ژول های حافظه

تراشه های حافظه در كامپیوترهای شخصی در آغاز از یك پیكربندی مبتنی برPin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می كردند. این پیكربندی مبتنی بر پین،  می توانست لحیم كاری  درون حفره هائی برروی برد اصلی كامپیوتر و یا اتصال به یك سوكت بوده  كه خود  به  برد اصلی لحیم  شده است .همزمان با افزایش حافظه ، تعداد تراشه های  مورد نیاز، فضای زیادی از برد اصلی را اشغال می كردند .از روش فوق تا زمانیكه میزان حافظه  حداكثر دو مگابایت بود ،  استقاده می گردید. راه حل مشكل فوق، استقرار تراشه های حافظه بهمراه تمام عناصر و اجزای حمایتی در یك برد مدار چاپی مجزا (Printed circuit Board) PCB  بود. برد فوق در ادامه با استفاده از یك نوع خاص از كانكتور ( بانك حافظه ) به برد اصلی متصل می گردید. این نوع تراشه ها اغلب از یك پیكربندیpin با نام SOJ (Small Outline J-lead ) استفاده می كردند . برخی از تولیدكنندگان دیگر كه تعداد آنها اندك است از پیكربندی دیگری با نام(Thin Small Outline Package) TSOR استفاده می نمایند.

 تفاوت اساسی بین این نوع پین های جدید و پیكربندیDIP اولیه در این است كه تراشه هایSOJ وTSOR به صورت surface-mounted  (اتصال سطحي) در (Printed circuit Board) PCB هستند. به عبارت دیگر پین ها  مستقیما" به سطح برد لحیم خواهند شد .

 ( نه داخل حفره ها و یا سوكت ) .

تراشه های حافظه   از طریق كارت هائی كه " ماژول " نامیده می شوند قابل دستیابی و استفاده   می باشند. شاید تاكنون با مشخصات یك سیستم كه میزان حافظه خود را بصورت 32 * 8 , یا   16 * 4  اعلام می نماید  ، برخورده كرده باشید .اعداد فوق تعداد تراشه ها  ضربدر ظرفیت هر یك از تراشه ها را  كه بر حسب مگابیت  اندازه گیری می گردند، نشان می دهد. به منظور محاسبه  ظرفیت ، می توان با تقسیم نمودن آن بر هشت میزان مگابایت را بر روی هر ماژول مشخص كرد. مثلا" یك ماژول 32 *  4 ، بدین معنی است كه ماژول دارای چهار تراشه 32 مگابیتی است . با ضرب 4 در 32 عدد 128 ( مگابیت) بدست می آید . اگر عدد فوق را بر هشت تقسیم نمائیم به ظرفیت 16 مگابایت خواهیم رسید.

نوع برد و كانكتور استفاده شده در حافظه های RAM ، طی پنج سال اخیر تفاوت كرده است . نمونه های اولیه اغلب  بصورت  اختصاصی تولید می گردیدند . تولید كنندگان متفاوت كامپیوتر بردهای حافظه را بگونه ای طراحی می كردند  كه صرفا" امكان استفاده از آنان در سیستم های خاصی وجود داشت . در ادامه  (SIMM (Single in-line memory  مطرح گردید.

 این نوع از بردهای حافظه از 30 پین كانكتور استفاده كرده و طول آن حدود 3/5 اینچ و عرض آن یك اینچ بود ( یازده سانتیمتر در 2/5 سانتیمتر ) .در اغلب كامپیوترها می بایست بردهایSIMM بصورت زوج هائی كه دارای ظرفیت و سرعت یكسان  باشند، استفاده گردد. علت این  است كه پهنای گذرگاه داده بیشتر از یكSIMM است . مثلا از دو SIMM هشت مگابایتی برای داشتن 16 مگابایت حافظه بر روی سیستم استفاده می گردد. هرSIMM قادر به ارسال 8 بیت داده در هر لحظه خواهد بود با توجه به این موضوع كه گذرگاه داده 16 بیتی است از نصف پهنای باند استفاده شده و این امر منطقی به نظر نمی آید. در ادامه بردهایSIMM بزرگتر شده و دارای ابعاد         25 / 4 * 1 شدند( 11 سانتیمتر در 2/5 سانتیمتر ) و از 72 پین برای افزایش پهنای باند و امكان افزایش حافظه تا میزان 256 مگابایت بدست آمد.

به موازات افزایش سرعت و ظرفیت پهنای باند پردازنده ها، تولیدكنندگان از استاندارد جدید دیگری با نام dual in-line memory module))  DIMMاستفاده كردند.این نوع بردهای حافظه  دارای 168 پین و ابعاد 1 * 5/4 اینچ ( تقریبا" 14 سانتیمتر در 2/5 سانتیمتر ) بودند. ظرفیت بردهای فوق در هر ماژول از هشت تا 128 مگابایت را شامل و می توان آنها را بصورت تك ( زوج الزامی نیست ) استفاده كرد. اغلب ماژول های حافظه با 3/3 ولت كار می كنند.          در سیستم های مكینتاش از 5 ولت استفاده می نمایند. یك استاندارد جدید دیگر با نام    (Rambus in-line memory module) RIMM  از نظر اندازه و پین باDIMM قابل مقایسه است ولی بردهای فوق، از یك نوع خاص گذرگاه  داده حافظه برای افزایش سرعت استفاده می نمایند.

 اغلب بردهای حافظه در كامپیوترهای كیفی از ماژول های حافظه كاملا"  اختصاصی  استفاده  می نمایند ولی برخی از تولیدكنندگان حافظه از استاندارد دیگری با نام(small outline dual in-line memory module  ) یا SODIMM استفاده می نمایند. بردهای حافظهSODIMM دارای ابعاد 1* 2 اینچ ( 5 سانتیمنتر در 5 /2 سانتیمنتر ) بوده و از 144 پین استفاده می نمایند. ظرفیت این نوع بردها ی حافظه در هر ماژول از 16 مگابایت تا 256 مگابایت می تواند باشد.

بررسی خطا

اكثر حافظه هائی كه امروزه در كامپیوتر استفاده می گردند دارای ضریب اعتماد  بالائی می باشند. در اكثر سیستم ها  ،" كنترل كننده حافظه " درزمان روشن كردن سیستم عملیات بررسی صحت عملكرد حافظه را انجام می دهد.

 تراشه های حافظه با استفاده از روشی با نامParity ، عملیات بررسی خطاء را انجام می دهند. تراشه هایParity دارای یك بیت اضافه برای هشت بیت داده می باشند. روشی كهParity  بر اساس آن كار می كند بسیار ساده است . در ابتداParity زوج  بررسی می گردد. زمانیكه هشت بیت ( یك بایت) داده ئی را دریافت می دارند، تراشه تعداد یك های موجود در آن را محاسبه  می نماید. در صورتیكه تعداد یك های موجود فرد باشد مقدار بیتParity یك خواهد شد. در صورتیكه تعداد یك های موجود زوج باشد مقدار بیتparity صفر خواهد شد. زمانیكه داده از بیت های مورد نظر خوانده می شود ، مجددا" تعداد یك های موجود محاسبه و با بیتparity مقایسه می گردد. درصورتیكه مجموع فرد و بیتParity مقدار یك باشد داده مورد نظر درست بوده و برای پردازنده ارسال می گردد. اما در صورتیكه مجموع فرد بوده و بیتparity صفر باشد تراشه متوجه بروز یك خطاء در بیت ها شده و داده مورد نظر كنار گذاشته می شود.parity فرد نیز به همین روش كار می كند در روش فوق زمانی بیت parity یك خواهد شدكه تعداد یك های موجود در بایت زوج باشد.

مسئله مهم در رابطه باParity عدم تصحیح خطاء  پس  از تشخیص است . در صورتیكه یك بایت از داده ها با بیتParity خود مطابقت ننماید داده دور انداخته  شده  سیستم مجددا" سعی  خود را انجام خواهد داد. كامپیوترها نیازمند یك سطح بالاتر برای برخورد با خطاء می باشند. برخی از سیستم ها از روشی با نام  بهerror correction code)) ECC استفاده می نمایند. در روش فوق از  بیت های اضافه برای كنترل داده در هر یك از بایت ها استفاده می گردد. اختلاف روش فوق با روشParity در این است كه از چندین بیت برای بررسی خطاء استفاده می گردد. ( تعداد بیت های استفاده شده بستگی به پهنای گذرگاه دارد ) حافظه های مبتنی بر روش فوق با استفاده از الگوریتم مورد نظر نه تنها قادر به تشخیص خطا بوده بلكه امكان تصحیح خطاهای بوجود آمده  نیز فراهم می گردد. ECCهمچنین قادر به تشخیص  خطاها در مواردی است كه   یك یا چندین بیت در یك بایت  با مشكل مواجه گردند .

انواع حافظه RAM

Dynamic random access memory) DRAM):

در این نوع حافظه ها برای سلول های حافظه از یك زوج ترانزیستور و خازن استفاده می گردد . اين حافظه دايناميك از معمولی ترين و رايج ترين Ram های مورد استفاده می باشد.

كلمه دايناميك (به معنی پويا ) نشان دهنده اين است كه Cpu با يد متناوب با اطلاعات آن را تجديد كند، كه در غير اين صورت محتويات آن از بين  می رود .

Static random access memory) SRAM):

این نوع حافظه ها از چندین ترانزیستور ( چهار تا شش ) برای هر سلول حافظه استفاده می نمایند. برای هر سلول از خازن استفاده نمی گردد. این نوع حافظه در ابتدا به منظورcache استفاده می شدند. اين حافظه به نام حافظه ايستا معروف است كه بسيار سريع تر از  DRAM  می باشد  برعكس حافظه های DRAM كه Cpu  بايد به طور دائم محتويات آن را تجديد كند ، محتويات SRAM ثابت بوده و تجديد محتويات آن الزامی نيست و اين خود يكی از دلايل سريع تر بودن آن می باشد  .

Fast page mode dynamic random access memory) FPM DRAM):

شكل اولیه ای از حافظه هایDRAM می باشند. در تراشه ای فوق تا زمان تكمیل فرآیند استقرار یك بیت داده توسط سطر و ستون مورد نظر، می بایست منتظر  و در ادامه بیت خوانده خواهد شد. ( قبل از اینكه عملیات مربوط به بیت بعدی آغاز گردد) .حداكثر سرعت ارسال داده بهL2 cache معادل 176 مگابایت در هر ثانیه است .

Extended data-out dynamic random access memory) EDODRAM):

این نوع حافظه ها  در انتظار تكمیل و اتمام پردازش های لازم برای اولین بیت  نشده و عملیات مورد نظر خود را در رابطه با بیت بعد بلافاصله  آغاز خواهند كرد.  پس از اینكه آدرس اولین بیت مشخص گردید EDODRAM  عملیات مربوط به جستجو برای بیت بعدی را آغاز خواهد كرد. سرعت عملیات فوق پنج برابر سریعتر نسبت به حافظه هایFPM است . حداكثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 176 مگابایت در هر ثانیه است .

Synchronous dynamic random access memory) SDRAM):

از ویژگی "حالت پیوسته " بمنظور افزایش و بهبود كارايی استفاده می نماید .بدین منظور زمانیكه  سطر شامل داده مورد نظر باشد ، بسرعت در بین ستون ها حركت و بلافاصله پس از تامین داده ،آن را خواهد خواند.SDRAM دارای سرعتی معادل پنج برابر سرعت حافظه هایEDO بوده و حداكثر سرعت ارسال  داده به L2 cache معادل 528 مگابایت در ثانیه است .

Rambus dynamic random access memory ) RDRAM):

یك رویكرد كاملا" جدید نسبت به معماری قبلیDRAM است. این نوع حافظه ها از

(Rambus in-line memory module)  RIMMاستفاده كرده كه از لحاظ اندازه و پیكربندی مشابه یك DIMM استاندارد است.

 وجه تمایز این نوع حافظه ها استفاده  از یك گذرگاه داده با سرعت بالا با نام "كانال Rambus " است . تراشه های حافظهRDRAM بصورت موازی كار كرده تا بتوانند به سرعت 800 مگاهرتز دست پیدا نمایند.

Credit card memory:

یك نمونه كاملا اختصاصی از تولیدكنندگان خاص بوده و شامل ماژول هایDRAM بوده كه در یك نوع خاص اسلات ، در  كامپیوترهایNote Book استفاده می گردد.

PCMCIA memory:

PCMCIA  (personal computer memory card international association)

نوع دیگر از حافظه  شامل ماژول های DRAM بوده كه درnotebook استفاده می شود.

Flash Ram:

نوع خاصی از حافظه با ظرفیت كم  برای استفاده در دستگاههائی نظیر تلویزیون،

 VCR (Video Cassette Recorder) بوده و از آن به منظور  نگهداری اطلاعات خاص مربوط به هر دستگاه  استفاده می گردد. زمانیكه این نوع دستگاهها خاموش باشند همچنان  به میزان اندكی برق مصرف خواهند كرد. در كامپیوتر نیز از این نوع حافظه ها برای نگهداری اطلاعاتی در رابطه با تنظیمات هارد دیسك و ... استفاده می گردد.

Video Ram) VRAM):

یك نوع خاص از حافظه هایRAM بوده كه برای موارد خاص نظیر : آداپتورهای ویدئو و یا شتاب دهندگان سه بعدی استفاده می شود.

به این نوع از حافظه ها multi port dynamic random access memory) MPDRAM) نیز گفته می شود .علت نامگذاری فوق بدین دلیل است كه  این نوع از حافظه ها  دارای امكان دستیابی به اطلاعات،  بصورت تصادفی و سریال می باشند .VRAM بر روی كارت گرافیك قرار داشته و دارای فرمت های متفاوتی است. میزان حافظه فوق به عوامل متفاوتی نظیر : " وضوح تصویر " و " وضعیت  رنگ ها " بستگی دارد.

Ram  های  معمول امروزي به صورت 30 پينی ،  72پينی و 168 پينی می باشند .

Ram های 30 پينی  برای برد های 286 و 386 و بعضی از انواع  486  ساخته شده بود .

Ram های 72 پينی برای برد های اصلی 486 و پنتيوم ساخته شده و Ram های 168 پينی

روی برد های اصلی پنتيوم و پنتيوم II كار می كند .

از لحاظ سرعت 5 مدل رم وجود دارد كه در حجم ها و اسلاتهاي مختلف ارايه ميشوند:

واژگان اختصاري به كار برده شده در مورد رم :

SD RAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory

DDR RAM : Double Data Rate Random Access Memory

RD RAM : Rambus Dynamic Random Access Memory

DDR2 RAM : Double Data Rate 2 Random Access Memory

DDR3 SDRAM : Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory

نگاهی به انواع دیگر حافظه:

Fast Cycle Ram (FC RAM)‎:

این تکنولوژی توسط توشیبا و فوجیتسو طراحی شده که برای حافظه بسیار سریع سرورها و پرینتر ها بکار رود . این تکنولوژی حرارت کمتر ایجاد می کند و سرعت دسترسی به سلولهای حافظه را افزایش می دهد .

SYNCLINK DRAM (SLD RAM)‎:

این نوع Ram ‌دیگر تولید نمی شود اما توسط کنسرسیومی از تولید کنندگان Dram بعنوان رقیب RAMBUS در سال 1990 ارائه شد .

Virtual Channel Memory (VCM)‎:

توسط NEC طراحی شده VCM اجازه می دهد هر بلوک حافظه بطور مستقل با کنترلر حافظه با Cache خاص ارتباط بر قرار کند . بدین وسیله هر Task از بلوک حافظه و Cache خود بدون درگیری با Task دیگر عمل می کند . این عمل باعث بهبود عملکرد کامپیوتر میگردد .

Double Data Rate Synchronous D Ram (DDR SD RAM)‎:

نسل جدیدی از SDRAM هاست که در دو نقطه اوج و فرود سیکل زمانی ( Time Cycle ) میتواند اطلاعات را رد و بدل کند به همین دلیل در سرعت ها 100 و 133 مگاهرتز عملکردی معادل 200 و 266 مگاهرتز خواهد داشت .

Double Data Rate 2 Synchronous D Ram (DDR2 SD RAM)‎:

این نوعی DDR تا سرعت 800 مگا هرتز عملکرد با کاهش مصرف برق و کاهش حرارت قابل ملاحظه نسبت به DDR‌ می باشد .

DDR3

(Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory):

DDR3 حافظه ی جدیدی از سری حافظه های SDRAM هست که جایگزین حافظه های DDR2خواهد شد که به تازگی مصرف زیادی پیدا کرده است.

پهناي باند بالاتر و مصرف انرژي کمتر از جمله خصوصيات حافظه‌هايDDR3 مي‌باشند

حافظه‌هايDDR3 در ابتداي عرضه بيش از 50% گرانتر از DDR2خواهند بود و کمتر از 10% سهم فروش بازار را شامل خواهند ‌شد. در سال 2008 تقريبا هم قيمت با DDR2 خواهند گرديد و حدود 20% سهم بازار را شامل خواهند ‌شد و در سال 2009 بيش از نيمي از فروش بازار را تصاحب خواهند کرد. حافظه‌هاي DDR3 در سال 2007 به بازار عرضه خواهند شد.حافظه‌هاي DDR3-800 و DDR3-1066 در نيمه اول سال 2007 و حافظه‌هاي DDR3-1333 و DDR3-1600 در نيمه دوم سال 2007 عرضه خواهند گرديد.حافظه‌هاي DDR3 فرکانس و پهناي باندي تا دو برابر DDR2 دارا مي‌باشند.حافظه‌هاي DDR3 مصرف انرژي کمتري (حدودا 30% کمتر) نسبت به DDR2 دارا هستند که نتيجه کاهش ولتاژ از 1.8 به 1.5 ولت مي‌باشد قرار است در حافظه‌هاي DDR3 سنسور حرارتي تعبيه گردد.

اصطلاحاتی در مورد RAM:

Access Time:

میزان زمانی که طول می کشد که یک ماژول Ram به درخواست اطلاعات پاسخ دهد . واحد آْنNANO � second میباشد زمانهای معمول 60ns و 70ns است هر چقدر زمان آن کمتر باشد سرعت حافظه شما بیشتر است . Bus Width

هر 8 بیت یک بایت می باشد . پهنای باند خطوط اتصالی بین Ram , CPU امروزه 64 بیت است که معادل 8 بایت میگردد .

Bus Speed:

اگر سرعت Memory Bus 100 مگاهرتز باشد یعنی 100 میلیون Clock Cycle در ثانیه است یعنی هر بایت که 8 بیت است در یک دوره Clock Cycle حمل می شود . در سرعت 100 مگاهرتز با سیستم 64 بیتی مقدار 800 مگابایت در ثانیه حمل و رد و بدل میگردد .

CAS Latency:

تعداد Clock Cycle هایی که طول می کشد یک ستون از RAM در چیپ DRAM آدرس دهی شود . Latency میزان تاخیر می باشد یعنی " CL3 " میزان تاخیر در دسترسی به ستونهای RAM حافظه را 3 Clock Cycle می داند و CL2 میزان تاخیر را Clock Cycle -2 پس حافظه CL2 بهتر از CL3 میباشد .

رم های مثل Ocz و Crucial از جمله تولید کنندگان بزرگی هستند که چیپ رم هاشون را خودشون طراحی وتولید میکنند در حالی که رم های مثل Hynix--Elpida--Infineon--NANYA--PSC--KINGMAX عضو گروه شرکت های تولید رم های بزرگ در دنیا هستند..... البته بالا بودن قیمت رم های مثل Ocz به دلیل اینه که بطور مستقیم وارد ایران نمیشه اگه توجه کرده باشید پرچم امریکا هم روی این رم ها حک شده...... ولی در بازدهی واقعا بینظیر هستش و در اور واقعا فوق العاده و یکی از بهترین مدل های موجود در بازار......

کمپانی Apacer برای اولین بار در جهان رم 8GB تولید کرد

کمپانی Apacer اولین رمECC Registered 667 - DDR2    با ظرفیت 8 گیگابایت را در دنیا به نام خود ثبت کرد. قبلا نیز برای اولین بار Apacer رم های ECC Registered  با ظرفیت 4 گیگابایت را به دنیای IT معرفی کرده بود و این بار نیز برای اولین بار رم های پرظرفیت ECC Registered  را به نام خود وارد بازار جهانی کرده است.

رمهای جدید ECC Registered Apacer که در بازار ایران عرضه میشوند را میتوان در Serverها و همچنین در Work stasion ها استفاده کرد. این رمها برای رفع نیازهای سرورهایی که بر پایه معماری cpu  های AMD Opteron  طراحی شده اند تولید شده و در  تست های انجام گرفته بر روی سرور های مذکور GB Apacer ECC Registered 8 توانسته است بالاترین کارایی و کمترین مصرف انرژی را به ثبت برساند.

کمپانی Apacer  در ساخت این رم ها از قطعات با کیفیتی که مخصوص پروژه های سرور طراحی شده اند استفاده کرده و توانسته است با استفاده از تکنولوژی نانو  مصرف کم،دوام بالا و خصوصیات الکتریکی دقیق و ثابتی را برای استفاده کاربران سرور به ارمغان بیاورد.